Справочник MOSFET. SQ7414EN

 

SQ7414EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ7414EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK1212-8
 

 Аналог (замена) для SQ7414EN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ7414EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:547K  vishay
sq7414en.pdfpdf_icon

SQ7414EN

SQ7414ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Low Thermal Resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.025Package with 1.07 mm ProfileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 PWM OptimizedID (A) 5.6 AEC-Q101 QualifiedConfiguration Single 100 % R

 8.1. Size:614K  vishay
sq7414aen.pdfpdf_icon

SQ7414EN

SQ7414AENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.026package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 PWM optimizedID (A) 16 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single AEC-

 8.2. Size:229K  vishay
sq7414cenw.pdfpdf_icon

SQ7414EN

SQ7414CENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 DD77DD66package with 1.07 mm profile55 PWM optimized 100 % Rg and UIS tested AEC-Q101 qualified1122 Wettable flank terminalsSS3

 8.3. Size:210K  vishay
sq7414aenw.pdfpdf_icon

SQ7414EN

SQ7414AENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Low thermal resistance PowerPAK 1212-8 RDS(on) () at VGS = 10 V 0.023package with 1.07 mm profileRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.028 PWM optimizedID (A) 18 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single AEC

Другие MOSFET... SQ4942EY , SQ4946AEY , SQ4949EY , SQ4953EY , SQ4961EY , SQ7002K , SQ7414AEN , SQ7414AENW , 4435 , SQ7415AEN , SQ7415AENW , SQ7415EN , SQ9407EY , SQ9945BEY , SQA410EJ , SQD07N25-350H , SQD100N03-3M2L .

 

 
Back to Top

 


 
.