SQ9407EY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQ9407EY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SQ9407EY datasheet

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SQ9407EY

SQ9407EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.085 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 4.6 Compliant to RoHS Directive 2

 0.1. Size:1487K  cn vbsemi
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SQ9407EY

SQ9407EY-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.050 RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.060 ID (A) per leg -8 S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D G D 4 5 D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) PARA

Otros transistores... SQ4961EY, SQ7002K, SQ7414AEN, SQ7414AENW, SQ7414EN, SQ7415AEN, SQ7415AENW, SQ7415EN, IRF530, SQ9945BEY, SQA410EJ, SQD07N25-350H, SQD100N03-3M2L, SQD100N03-3M4, SQD100N04-3M6, SQD100N04-3M6L, SQD10N30-330H