SQ9407EY Todos los transistores

 

SQ9407EY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ9407EY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SQ9407EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  vishay
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SQ9407EY

SQ9407EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.085 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 4.6 Compliant to RoHS Directive 2

 0.1. Size:1487K  cn vbsemi
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SQ9407EY

SQ9407EY-T1www.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.050RDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.060ID (A) per leg -8SSO-8S1 8 DGS D2 7S3 6 DG D4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PARA

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History: BSS131 | BSS84TC | SIHFR010

 

 
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