SQD25N06-22L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQD25N06-22L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQD25N06-22L

SQD25N06-22L Datasheet (PDF)

..1. Size:167K vishay
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SQD25N06-22Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.022 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.033 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 25 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single

8.1. Size:147K vishay
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SQD25N15-52Vishay SiliconixAutomotiveN-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 150DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.052 TrenchFET Power MOSFETID (A) 25 Package with Low Thermal ResistanceConfiguration Single AEC-Q101 QualifieddDTO-252 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

8.2. Size:168K vishay
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SQD25N15-52www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 150 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.052 100 % Rg and UIS TestedID (A) 25 AEC-Q101 QualifiedConfiguration Single Material categorization:DTO-252For definitions of compli

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