SQD35N05-26L Todos los transistores

 

SQD35N05-26L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQD35N05-26L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 203 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de SQD35N05-26L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQD35N05-26L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  vishay
 sqd35n05-26l.pdf pdf_icon

SQD35N05-26L

SQD35N05-26Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 55 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 55DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.020 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.026 100 % Rg and UIS TestedID (A) 30 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Compliant to

Otros transistores... SQD100N04-3M6L , SQD10N30-330H , SQD15N06-42L , SQD19P06-60L , SQD23N06-31L , SQD25N06-22L , SQD25N15-52 , SQD30N05-20L , IRF2807 , SQD40N04-10A , SQD40N06-14L , SQD40N10-25 , SQD40P10-40L , SQD45P03-12 , SQD50N02-04L , SQD50N03-06P , SQD50N03-09 .

History: IXTA42N25P | STB80PF55T4 | SFF44N50Z | GSM4924 | IRF7854PBF | AM7468N | HSP150N02

 

 
Back to Top

 


 
.