SQD40N04-10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQD40N04-10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQD40N04-10A

SQD40N04-10A Datasheet (PDF)

..1. Size:167K vishay
sqd40n04-10a.pdf

SQD40N04-10Awww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.010 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.014 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 42 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single

6.1. Size:151K vishay
sqd40n04.pdf

SQD40N04-10AVishay SiliconixAutomotiveN-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.010 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.014 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 42 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Compliant to Ro

7.1. Size:170K vishay
sqd40n06-14l.pdf

SQD40N06-14Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.017 100 % Rg and UIS TestedID (A) 40 Material categorization:Configuration Single

7.2. Size:1347K cn vbsemi
sqd40n06-14.pdf

SQD40N06-14www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

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Liste

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