Справочник MOSFET. SQD40N04-10A

 

SQD40N04-10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQD40N04-10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SQD40N04-10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD40N04-10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  vishay
sqd40n04-10a.pdfpdf_icon

SQD40N04-10A

SQD40N04-10Awww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.010 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.014 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 42 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single

 6.1. Size:151K  vishay
sqd40n04.pdfpdf_icon

SQD40N04-10A

SQD40N04-10AVishay SiliconixAutomotiveN-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.010 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.014 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 42 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Compliant to Ro

 7.1. Size:170K  vishay
sqd40n06-14l.pdfpdf_icon

SQD40N04-10A

SQD40N06-14Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.014 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.017 100 % Rg and UIS TestedID (A) 40 Material categorization:Configuration Single

 7.2. Size:1347K  cn vbsemi
sqd40n06-14.pdfpdf_icon

SQD40N04-10A

SQD40N06-14www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

Другие MOSFET... SQD10N30-330H , SQD15N06-42L , SQD19P06-60L , SQD23N06-31L , SQD25N06-22L , SQD25N15-52 , SQD30N05-20L , SQD35N05-26L , IRFZ46N , SQD40N06-14L , SQD40N10-25 , SQD40P10-40L , SQD45P03-12 , SQD50N02-04L , SQD50N03-06P , SQD50N03-09 , SQD50N03-4M0L .

History: 4N65G-TQ2-T | SI3473DV

 

 
Back to Top

 


 
.