SQD40N04-10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQD40N04-10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SQD40N04-10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQD40N04-10A даташит

 ..1. Size:167K  vishay
 sqd40n04-10a.pdf pdf_icon

SQD40N04-10A

SQD40N04-10A www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.010 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.014 Package with Low Thermal Resistance ID (A) 42 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single

 6.1. Size:151K  vishay
 sqd40n04.pdf pdf_icon

SQD40N04-10A

SQD40N04-10A Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.010 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.014 Package with Low Thermal Resistance ID (A) 42 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single Compliant to Ro

 7.1. Size:170K  vishay
 sqd40n06-14l.pdf pdf_icon

SQD40N04-10A

SQD40N06-14L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.014 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.017 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 40 Material categorization Configuration Single

 7.2. Size:1347K  cn vbsemi
 sqd40n06-14.pdf pdf_icon

SQD40N04-10A

SQD40N06-14 www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Junction Temperature 0.025 at VGS = 10 V 35 RoHS* 60 0.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQD10N30-330H, SQD15N06-42L, SQD19P06-60L, SQD23N06-31L, SQD25N06-22L, SQD25N15-52, SQD30N05-20L, SQD35N05-26L, SI2302, SQD40N06-14L, SQD40N10-25, SQD40P10-40L, SQD45P03-12, SQD50N02-04L, SQD50N03-06P, SQD50N03-09, SQD50N03-4M0L