SQD50P06-15L Todos los transistores

 

SQD50P06-15L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQD50P06-15L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 98 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 485 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SQD50P06-15L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  vishay
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SQD50P06-15L

SQD50P06-15Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0155 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0200 AEC-Q101 QualifiedID (A) - 50 Material categorization:Configuration

 ..2. Size:1409K  cn vbsemi
 sqd50p06-15l.pdf pdf_icon

SQD50P06-15L

SQD50P06-15Lwww.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Material categorization:0.020 at VGS = - 10 V - 50- 600.025 at VGS = - 4.5 V - 45APPLICATIONS Load SwitchTO-252SGDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramet

 7.1. Size:169K  vishay
 sqd50p04-09l.pdf pdf_icon

SQD50P06-15L

SQD50P04-09Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0094 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0190 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguratio

 7.2. Size:177K  vishay
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SQD50P06-15L

SQD50P08-25Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 80 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 80 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.025 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.031 Material categorization:ID (A) - 50For definitions of compliance please see Configuratio

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History: SI3457CDV | IXKC25N80C | STP90N6F6 | SI3464DV | SI3458BDV

 

 
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