SQJ486EP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ486EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8L

 Búsqueda de reemplazo de SQJ486EP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SQJ486EP datasheet

 ..1. Size:230K  vishay
 sqj486ep.pdf pdf_icon

SQJ486EP

SQJ486EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 75 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.026 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.032 Material categorization ID (A) 30 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

 9.1. Size:222K  vishay
 sqj488ep.pdf pdf_icon

SQJ486EP

SQJ488EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 100 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0210 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0258 Material categorization ID (A) 42 for definitions of compliance please Configuration Single see w

Otros transistores... SQJ443EP, SQJ456EP, SQJ460AEP, SQJ460EP, SQJ461EP, SQJ463EP, SQJ465EP, SQJ469EP, IRF640, SQJ488EP, SQJ500AEP, SQJ840EP, SQJ844AEP, SQJ844EP, SQJ848AEP, SQJ848EP, SQJ850EP