SQJ486EP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SQJ486EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ486EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ486EP даташит

 ..1. Size:230K  vishay
 sqj486ep.pdf pdf_icon

SQJ486EP

SQJ486EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 75 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 75 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.026 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.032 Material categorization ID (A) 30 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

 9.1. Size:222K  vishay
 sqj488ep.pdf pdf_icon

SQJ486EP

SQJ488EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 100 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0210 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0258 Material categorization ID (A) 42 for definitions of compliance please Configuration Single see w

Другие IGBT... SQJ443EP, SQJ456EP, SQJ460AEP, SQJ460EP, SQJ461EP, SQJ463EP, SQJ465EP, SQJ469EP, IRF640, SQJ488EP, SQJ500AEP, SQJ840EP, SQJ844AEP, SQJ844EP, SQJ848AEP, SQJ848EP, SQJ850EP