SQJ844AEP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQJ844AEP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0166 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-SO-8L
Búsqueda de reemplazo de SQJ844AEP MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SQJ844AEP datasheet
sqj844aep.pdf
SQJ844AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0166 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0276 Material categorization ID (A) per leg 8 for definitions of compliance please Configuration Dual
sqj844ep.pdf
SQJ844EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 30 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.024 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.037 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) per leg 8 100 % Rg and UIS Tested Configuration Dual Compliant
sqj848aep.pdf
SQJ848AEP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0076 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0086 Material categorization ID (A) 24 For definitions of compliance please see Configuration Single www
sqj848ep.pdf
SQJ848EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0075 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0120 Material categorization ID (A) 47 For definitions of compliance please see Configuration Single www.v
Otros transistores... SQJ461EP, SQJ463EP, SQJ465EP, SQJ469EP, SQJ486EP, SQJ488EP, SQJ500AEP, SQJ840EP, IRF640N, SQJ844EP, SQJ848AEP, SQJ848EP, SQJ850EP, SQJ858AEP, SQJ858EP, SQJ884EP, SQJ886EP
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent
