SQJ941EP Todos los transistores

 

SQJ941EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQJ941EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de SQJ941EP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQJ941EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  vishay
 sqj941ep.pdf pdf_icon

SQJ941EP

SQJ941EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.024 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.039 Material categorization:ID (A) per leg - 8For definitions of compliance please see Conf

 9.1. Size:258K  vishay
 sqj942ep.pdf pdf_icon

SQJ941EP

SQJ942EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.022 0.011 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.026 0.013For definitions of compliance pleas

 9.2. Size:260K  vishay
 sqj940ep.pdf pdf_icon

SQJ941EP

SQJ940EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0160 0.0064 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0188 0.0076For definitions of compliance p

 9.3. Size:213K  vishay
 sqj946ep.pdf pdf_icon

SQJ941EP

SQJ946EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.033 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.039 Material categorization:ID (A) per leg 15for definitions of compliance please see Configuratio

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SQJ858AEP , SQJ858EP , SQJ884EP , SQJ886EP , SQJ910AEP , SQJ912AEP , SQJ912EP , SQJ940EP , 7N65 , SQJ942EP , SQJ951EP , SQJ952EP , SQJ960EP , SQJ962EP , SQJ963EP , SQJ964EP , SQJ968EP .

 

 
Back to Top

 


 
.