Справочник MOSFET. SQJ941EP

 

SQJ941EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ941EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ941EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  vishay
sqj941ep.pdfpdf_icon

SQJ941EP

SQJ941EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.024 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.039 Material categorization:ID (A) per leg - 8For definitions of compliance please see Conf

 9.1. Size:258K  vishay
sqj942ep.pdfpdf_icon

SQJ941EP

SQJ942EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.022 0.011 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.026 0.013For definitions of compliance pleas

 9.2. Size:260K  vishay
sqj940ep.pdfpdf_icon

SQJ941EP

SQJ940EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETN-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0160 0.0064 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0188 0.0076For definitions of compliance p

 9.3. Size:213K  vishay
sqj946ep.pdfpdf_icon

SQJ941EP

SQJ946EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.033 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.039 Material categorization:ID (A) per leg 15for definitions of compliance please see Configuratio

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF9Z14LPBF | NVMFS5C628N | WMK028N10HG2 | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.