SQJ941EP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQJ941EP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L

Аналог (замена) для SQJ941EP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ941EP даташит

 ..1. Size:155K  vishay
 sqj941ep.pdf pdf_icon

SQJ941EP

SQJ941EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 30 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.024 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.039 Material categorization ID (A) per leg - 8 For definitions of compliance please see Conf

 9.1. Size:258K  vishay
 sqj942ep.pdf pdf_icon

SQJ941EP

SQJ942EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 Qualifiedd VDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.022 0.011 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.026 0.013 For definitions of compliance pleas

 9.2. Size:260K  vishay
 sqj940ep.pdf pdf_icon

SQJ941EP

SQJ940EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET N-CHANNEL 1 N-CHANNEL 2 AEC-Q101 Qualifiedd VDS (V) 40 40 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0160 0.0064 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0188 0.0076 For definitions of compliance p

 9.3. Size:213K  vishay
 sqj946ep.pdf pdf_icon

SQJ941EP

SQJ946EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.033 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.039 Material categorization ID (A) per leg 15 for definitions of compliance please see Configuratio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQJ858AEP, SQJ858EP, SQJ884EP, SQJ886EP, SQJ910AEP, SQJ912AEP, SQJ912EP, SQJ940EP, IRF630, SQJ942EP, SQJ951EP, SQJ952EP, SQJ960EP, SQJ962EP, SQJ963EP, SQJ964EP, SQJ968EP