SQJ960EP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQJ960EP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8L

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SQJ960EP datasheet

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SQJ960EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.036 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.046 Material categorization ID (A) per leg 8 For definitions of compliance please see Configuration

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SQJ962EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.060 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.080 Material categorization ID (A) per leg 8 For definitions of compliance please see Configuration

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SQJ968EP www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0336 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0444 Material categorization ID (A) per leg 18 for definitions of compliance please see Configuration

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