Справочник MOSFET. SQJ960EP

 

SQJ960EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ960EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ960EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  vishay
 sqj960ep.pdf pdf_icon

SQJ960EP

SQJ960EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.036 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.046 Material categorization:ID (A) per leg 8For definitions of compliance please see Configuration

 9.1. Size:155K  vishay
 sqj962ep.pdf pdf_icon

SQJ960EP

SQJ962EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.060 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.080 Material categorization:ID (A) per leg 8For definitions of compliance please see Configuration

 9.2. Size:186K  vishay
 sqj963ep.pdf pdf_icon

SQJ960EP

SQJ963EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 60DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.085 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 AEC-Q101 QualifieddID (A) per leg - 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual

 9.3. Size:223K  vishay
 sqj968ep.pdf pdf_icon

SQJ960EP

SQJ968EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0336 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0444 Material categorization: ID (A) per leg 18for definitions of compliance please see Configuration

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HAT1055R | SIHG47N60S | APT10M19BVR | HGI110N08AL | AO4449 | FHP830B | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.