SQJ962EP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQJ962EP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQJ962EP

SQJ962EP Datasheet (PDF)

..1. Size:155K vishay
sqj962ep.pdf

SQJ962EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.060 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.080 Material categorization:ID (A) per leg 8For definitions of compliance please see Configuration

9.1. Size:186K vishay
sqj963ep.pdf

SQJ963EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 60DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.085 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 AEC-Q101 QualifieddID (A) per leg - 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual

9.2. Size:223K vishay
sqj968ep.pdf

SQJ968EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0336 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0444 Material categorization: ID (A) per leg 18for definitions of compliance please see Configuration

9.3. Size:154K vishay
sqj960ep.pdf

SQJ960EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.036 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.046 Material categorization:ID (A) per leg 8For definitions of compliance please see Configuration

9.4. Size:144K vishay
sqj964ep.pdf

SQJ964EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.028 TrenchFET Power MOSFETID (A) per leg 8 AEC-Q101 Qualifiedd 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowe

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STU10N60M2 | SIR164DP | JCS2N60N

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: