Справочник MOSFET. SQJ962EP

 

SQJ962EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ962EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8L
 

 Аналог (замена) для SQJ962EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ962EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  vishay
 sqj962ep.pdf pdf_icon

SQJ962EP

SQJ962EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.060 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.080 Material categorization:ID (A) per leg 8For definitions of compliance please see Configuration

 9.1. Size:186K  vishay
 sqj963ep.pdf pdf_icon

SQJ962EP

SQJ963EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 60DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.085 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 AEC-Q101 QualifieddID (A) per leg - 8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Dual

 9.2. Size:223K  vishay
 sqj968ep.pdf pdf_icon

SQJ962EP

SQJ968EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0336 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0444 Material categorization: ID (A) per leg 18for definitions of compliance please see Configuration

 9.3. Size:154K  vishay
 sqj960ep.pdf pdf_icon

SQJ962EP

SQJ960EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.036 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.046 Material categorization:ID (A) per leg 8For definitions of compliance please see Configuration

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQJ912AEP , SQJ912EP , SQJ940EP , SQJ941EP , SQJ942EP , SQJ951EP , SQJ952EP , SQJ960EP , K4145 , SQJ963EP , SQJ964EP , SQJ968EP , SQJ970EP , SQJ980AEP , SQJ980EP , SQJ992EP , SQJQ402E .

History: STP25NM60ND | SQJ951EP | CS3N50DF

 

 
Back to Top

 


 
.