SQS404EN MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SQS404EN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQS404EN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: POWERPAK1212-8

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SQS404EN datasheet

..1. Size:556K vishay
sqs404en.pdf pdf_icon

SQS404EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 30 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.013 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.015 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.022 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 16 Co

9.1. Size:557K vishay
sqs400en.pdf pdf_icon

SQS400EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.018 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.032 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 16 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoH

9.2. Size:214K vishay
sqs401enw.pdf pdf_icon

SQS401ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -40 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.029 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.047 Material categorization ID (A) -16 for definitions of compliance please see Configuration Single w

9.3. Size:553K vishay
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SQS405EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 12 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.020 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 2.5 V 0.026 ID (A) - 16 Material categorization For definitions of compliance please see Configuration Si

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