SQS404EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQS404EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK1212-8

Аналог (замена) для SQS404EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQS404EN даташит

 ..1. Size:556K  vishay
 sqs404en.pdf pdf_icon

SQS404EN

SQS404EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 30 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.013 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.015 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.022 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 16 Co

 9.1. Size:557K  vishay
 sqs400en.pdf pdf_icon

SQS404EN

SQS400EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.018 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.032 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 16 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to RoH

 9.2. Size:214K  vishay
 sqs401enw.pdf pdf_icon

SQS404EN

SQS401ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -40 AEC-Q101 qualified d RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.029 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.047 Material categorization ID (A) -16 for definitions of compliance please see Configuration Single w

 9.3. Size:553K  vishay
 sqs405en.pdf pdf_icon

SQS404EN

SQS405EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) - 12 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.020 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 2.5 V 0.026 ID (A) - 16 Material categorization For definitions of compliance please see Configuration Si

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQJ968EP, SQJ970EP, SQJ980AEP, SQJ980EP, SQJ992EP, SQJQ402E, SQS400EN, SQS401EN, 13N50, SQS405EN, SQS405ENW, SQS420EN, SQS423EN, SQS460EN, SQS462EN, SQS464EEN, SQS466EEN