Справочник MOSFET. SQS404EN

 

SQS404EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQS404EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK1212-8
 

 Аналог (замена) для SQS404EN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQS404EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  vishay
sqs404en.pdfpdf_icon

SQS404EN

SQS404ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.013 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.015 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.022 100 % Rg and UIS TestedID (A) 16 Co

 9.1. Size:557K  vishay
sqs400en.pdfpdf_icon

SQS404EN

SQS400ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.018 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.032 AEC-Q101 QualifieddID (A) 16 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoH

 9.2. Size:214K  vishay
sqs401enw.pdfpdf_icon

SQS404EN

SQS401ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -10 V 0.029 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.047 Material categorization: ID (A) -16for definitions of compliance please seeConfiguration Singlew

 9.3. Size:553K  vishay
sqs405en.pdfpdf_icon

SQS404EN

SQS405ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 12 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.020 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.026ID (A) - 16 Material categorization:For definitions of compliance please see Configuration Si

Другие MOSFET... SQJ968EP , SQJ970EP , SQJ980AEP , SQJ980EP , SQJ992EP , SQJQ402E , SQS400EN , SQS401EN , TK10A60D , SQS405EN , SQS405ENW , SQS420EN , SQS423EN , SQS460EN , SQS462EN , SQS464EEN , SQS466EEN .

History: IRFZ48NLPBF | TPCA8A09-H | SSM3J307T | DMG3413L | TF68N80 | STL9N60M2 | IPB083N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.