SQS460EN Todos los transistores

 

SQS460EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQS460EN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK1212-8
 

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SQS460EN Datasheet (PDF)

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SQS460ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.036 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.048 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vish

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SQS462ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.082 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Singlewww.

 9.2. Size:558K  vishay
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SQS466EENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.048 Typical ESD Protection 800 VgRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.074 TrenchFET Power MOSFETID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg a

 9.3. Size:558K  vishay
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SQS464EENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 Typical ESD Protection 800 VRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.046 TrenchFET Power MOSFETID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg an

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History: TPC65R280D | BRCS150N10SBD | CSD17577Q3A | NCEP40T13AGU | MEE4294-G | CJ3404 | BSC265N10LSFG

 

 
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