SQS466EEN MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SQS466EEN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQS466EEN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm

Encapsulados: POWERPAK1212-8

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SQS466EEN datasheet

..1. Size:558K vishay
sqs466een.pdf pdf_icon

SQS466EEN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.048 Typical ESD Protection 800 Vg RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.074 TrenchFET Power MOSFET ID (A) 8 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single 100 % Rg a

9.1. Size:560K vishay
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SQS462EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.063 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.082 Material categorization ID (A) 8 For definitions of compliance please see Configuration Single www.

9.2. Size:558K vishay
sqs464een.pdf pdf_icon

SQS464EEN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 40 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.032 Typical ESD Protection 800 V RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.046 TrenchFET Power MOSFET ID (A) 8 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single 100 % Rg an

9.3. Size:561K vishay
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SQS460EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 Qualified RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.036 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.048 Material categorization ID (A) 8 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vish

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