Справочник MOSFET. SQS466EEN

 

SQS466EEN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQS466EEN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK1212-8
 

 Аналог (замена) для SQS466EEN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQS466EEN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  vishay
sqs466een.pdfpdf_icon

SQS466EEN

SQS466EENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.048 Typical ESD Protection 800 VgRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.074 TrenchFET Power MOSFETID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg a

 9.1. Size:560K  vishay
sqs462en.pdfpdf_icon

SQS466EEN

SQS462ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.082 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Singlewww.

 9.2. Size:558K  vishay
sqs464een.pdfpdf_icon

SQS466EEN

SQS464EENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 Typical ESD Protection 800 VRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.046 TrenchFET Power MOSFETID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg an

 9.3. Size:561K  vishay
sqs460en.pdfpdf_icon

SQS466EEN

SQS460ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.036 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.048 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vish

Другие MOSFET... SQS404EN , SQS405EN , SQS405ENW , SQS420EN , SQS423EN , SQS460EN , SQS462EN , SQS464EEN , IRLB4132 , SQS482EN , SQS484EN , SQS840EN , SQS850EN , SQV120N10-3M8 , SQV90N06-05 , SRADM1002 , SRADM1003 .

History: STF32N65M5 | 2SK1206 | IXTH90P10P

 

 
Back to Top

 


 
.