SQS484EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQS484EN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 216 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQS484EN

SQS484EN Datasheet (PDF)

..1. Size:561K vishay
sqs484en.pdf

SQS484ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization:ID (A) 16For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vis

0.1. Size:637K vishay
sqs484enw.pdf

SQS484ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8DD AEC-Q101 qualified77DD66 100 % Rg and UIS tested55 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121122SS33 DSS44SS

9.1. Size:560K vishay
sqs482en.pdf

SQS482ENwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization:ID (A) 16For definitions of compliance please seeConfiguration Singlewww.vi

9.2. Size:226K vishay
sqs482enw.pdf

SQS482ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W SingleD TrenchFET power MOSFETD8DD7 AEC-Q101 qualified d7DD6655 100 % Rg and UIS tested Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999121122SS33SSD44SS

9.3. Size:258K vishay
sqs481enw.pdf

SQS481ENWwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 150 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFETDD8DD AEC-Q101 qualified d77DD66 100 % Rg and UIS tested55 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?999121122SS33 SSS44SS1

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Liste

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