SQS484EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQS484EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK1212-8

Аналог (замена) для SQS484EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQS484EN даташит

 ..1. Size:561K  vishay
 sqs484en.pdf pdf_icon

SQS484EN

SQS484EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.009 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization ID (A) 16 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vis

 0.1. Size:637K  vishay
 sqs484enw.pdf pdf_icon

SQS484EN

SQS484ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single TrenchFET power MOSFET D D 8 D D AEC-Q101 qualified 7 7 D D 6 6 100 % Rg and UIS tested 5 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 2 S S 3 3 D S S 4 4 S S

 9.1. Size:560K  vishay
 sqs482en.pdf pdf_icon

SQS484EN

SQS482EN www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0085 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.01 Material categorization ID (A) 16 For definitions of compliance please see Configuration Single www.vi

 9.2. Size:226K  vishay
 sqs482enw.pdf pdf_icon

SQS484EN

SQS482ENW www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8W Single D TrenchFET power MOSFET D 8 D D 7 AEC-Q101 qualified d 7 D D 6 6 5 5 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 2 S S 3 3 S S D 4 4 S S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQS405ENW, SQS420EN, SQS423EN, SQS460EN, SQS462EN, SQS464EEN, SQS466EEN, SQS482EN, AON7506, SQS840EN, SQS850EN, SQV120N10-3M8, SQV90N06-05, SRADM1002, SRADM1003, SRADM1004, SRADM1005