SRADM1003 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRADM1003
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 696 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Encapsulados: TO-254
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SRADM1003 datasheet
sradm1003.pdf
SRADM1003 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5398, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, LET 55, Range 90 m o VGS = -15V, VDS = 250V o VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad TO-254 package Near equivalent to IRHMS67260 MAXIMUM RATINGS ALL RAT
sradm1007.pdf
SENSITRON SRADM1007 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5405, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 55, Range 90 m VGS = -20V, VDS = 100V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad Surface mount SMD-0.5 package Near equivalent to IRHNJ7130 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS AR
sradm1004.pdf
SENSITRON SRADM1004 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5399, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, LET 55, Range 90 m o VGS = -15V, VDS = 250V o VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad Surface mount SMD-2 package Near equivalent to IRHNA67260 MAXIMUM RAT
sradm1005.pdf
SRADM1005 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5403, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 85, Range 118 m VGS = -10V, VDS = 250V VGS = -15V, VDS = 120V o LET 55, Range 90 m VGS = -15V, VDS = 250V VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened,
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