SRADM1003 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SRADM1003
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 696 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO-254
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SRADM1003 Datasheet (PDF)
sradm1003.pdf

SRADM1003 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5398, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, LET 55, Range: 90m o VGS = -15V, VDS = 250V o VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad TO-254 package Near equivalent to IRHMS67260 MAXIMUM RATINGS ALL RAT
sradm1007.pdf

SENSITRON SRADM1007 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5405, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 55, Range: 90m VGS = -20V, VDS = 100V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad Surface mount SMD-0.5 package Near equivalent to IRHNJ7130 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS AR
sradm1004.pdf

SENSITRON SRADM1004 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5399, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, LET 55, Range: 90m o VGS = -15V, VDS = 250V o VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad Surface mount SMD-2 package Near equivalent to IRHNA67260 MAXIMUM RAT
sradm1005.pdf

SRADM1005 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5403, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 85, Range: 118m VGS = -10V, VDS = 250V VGS = -15V, VDS = 120V o LET 55, Range: 90m VGS = -15V, VDS = 250V VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened,
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SE2101E | SIHG47N60S | YJS2308A | 9N95 | RU3089M | 10N45 | HGI110N08AL
History: SE2101E | SIHG47N60S | YJS2308A | 9N95 | RU3089M | 10N45 | HGI110N08AL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320