SRADM1008 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRADM1008
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257
Búsqueda de reemplazo de SRADM1008 MOSFET
SRADM1008 Datasheet (PDF)
sradm1008.pdf

SRADM1008 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5406, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 85, Range: 118m VGS = -10V, VDS = 250V VGS = -15V, VDS = 120V o LET 55, Range: 90m VGS = -15V, VDS = 250V VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened
sradm1007.pdf

SENSITRON SRADM1007 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5405, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 55, Range: 90m VGS = -20V, VDS = 100V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad Surface mount SMD-0.5 package Near equivalent to IRHNJ7130 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS AR
sradm1004.pdf

SENSITRON SRADM1004 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5399, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, LET 55, Range: 90m o VGS = -15V, VDS = 250V o VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened, 100kRad Surface mount SMD-2 package Near equivalent to IRHNA67260 MAXIMUM RAT
sradm1005.pdf

SRADM1005 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 5403, REV. - HERMETIC RAD HARD POWER MOSFET FEATURES: Low RDS(on) Single Event Effect (SEE) hardened, o LET 85, Range: 118m VGS = -10V, VDS = 250V VGS = -15V, VDS = 120V o LET 55, Range: 90m VGS = -15V, VDS = 250V VGS = -20V, VDS = 160V Total Ionization Dose (TID) hardened,
Otros transistores... SQV120N10-3M8 , SQV90N06-05 , SRADM1002 , SRADM1003 , SRADM1004 , SRADM1005 , SRADM1006 , SRADM1007 , 13N50 , SRC11N65TC , SRC11N65TF , SRC4N65D1 , SRC4N65DTR , SRC4N65TC , SRC4N65TF , SRC7N65D1 , SRC7N65DTR .
History: BL10N65A-P | STD2NK100Z | SRC7N65D1 | NTMFS5C430NLT1G | 2SJ607-ZJ | RFD4N06LSM
History: BL10N65A-P | STD2NK100Z | SRC7N65D1 | NTMFS5C430NLT1G | 2SJ607-ZJ | RFD4N06LSM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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