SRC11N65TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SRC11N65TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 782 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.348 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

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SRC11N65TF Datasheet (PDF)

6.1. Size:468K sanrise-tech
src11n65.pdf

Datasheet 11A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC11N65General Description Symbol The Sanrise SRC11N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable forapplications which require superior power density and outstanding ef

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Liste

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