SRC4N65TF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SRC4N65TF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 298 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.935 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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SRC4N65TF datasheet

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SRC4N65TF

Datasheet 4A, 650V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC4N65 General Description Symbol The Sanrise SRC4N65 is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding effic

Otros transistores... SRADM1006, SRADM1007, SRADM1008, SRC11N65TC, SRC11N65TF, SRC4N65D1, SRC4N65DTR, SRC4N65TC, IRF520, SRC7N65D1, SRC7N65DTR, SRC7N65TC, SRC7N65TF, SRK7002LT1G, SRM10N60TF, SRM10N60TC, SRM10N65TF