SRM12N65TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRM12N65TF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 192 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de SRM12N65TF MOSFET
SRM12N65TF Datasheet (PDF)
srm12n65.pdf

Datasheet 12A, 650V, N-Channel Power MOSFET SRM12N65General Description Symbol The Sanrise SRM12N65 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM12N65 break down voltage rating is 650V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi
Otros transistores... SRC7N65DTR , SRC7N65TC , SRC7N65TF , SRK7002LT1G , SRM10N60TF , SRM10N60TC , SRM10N65TF , SRM10N65TC , IRF1405 , SRM12N65TC , SRM20N65TF , SRM20N65TC , SRM2N60 , SRM4N60D1 , SRM4N60DTR , SRM4N60U , SRM4N60TF .
History: TSM6968DCA | RJL5012DPE | HY3208B | AP4N2R6P | FDBL9403-F085 | AFP3981
History: TSM6968DCA | RJL5012DPE | HY3208B | AP4N2R6P | FDBL9403-F085 | AFP3981



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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