SRM12N65TF Todos los transistores

 

SRM12N65TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SRM12N65TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 192 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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SRM12N65TF Datasheet (PDF)

 6.1. Size:251K  sanrise-tech
 srm12n65.pdf pdf_icon

SRM12N65TF

Datasheet 12A, 650V, N-Channel Power MOSFET SRM12N65General Description Symbol The Sanrise SRM12N65 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM12N65 break down voltage rating is 650V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi

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History: 2SK310 | NTD24N06-001 | STT3402N | STP45N10F7 | SFW1800N650C2 | 2SK1494 | NTMFS5C645NLT1G

 

 
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