SRM12N65TF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SRM12N65TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SRM12N65TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRM12N65TF даташит

 6.1. Size:251K  sanrise-tech
 srm12n65.pdf pdf_icon

SRM12N65TF

Datasheet 12A, 650V, N-Channel Power MOSFET SRM12N65 General Description Symbol The Sanrise SRM12N65 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on- state resistance. Sanrise SRM12N65 break down voltage rating is 650V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi

Другие IGBT... SRC7N65DTR, SRC7N65TC, SRC7N65TF, SRK7002LT1G, SRM10N60TF, SRM10N60TC, SRM10N65TF, SRM10N65TC, STP65NF06, SRM12N65TC, SRM20N65TF, SRM20N65TC, SRM2N60, SRM4N60D1, SRM4N60DTR, SRM4N60U, SRM4N60TF