Справочник MOSFET. SRM12N65TF

 

SRM12N65TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SRM12N65TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SRM12N65TF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRM12N65TF Datasheet (PDF)

 6.1. Size:251K  sanrise-tech
 srm12n65.pdf pdf_icon

SRM12N65TF

Datasheet 12A, 650V, N-Channel Power MOSFET SRM12N65General Description Symbol The Sanrise SRM12N65 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM12N65 break down voltage rating is 650V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi

Другие MOSFET... SRC7N65DTR , SRC7N65TC , SRC7N65TF , SRK7002LT1G , SRM10N60TF , SRM10N60TC , SRM10N65TF , SRM10N65TC , IRFZ48N , SRM12N65TC , SRM20N65TF , SRM20N65TC , SRM2N60 , SRM4N60D1 , SRM4N60DTR , SRM4N60U , SRM4N60TF .

History: IRFB7430PBF | HY3410M | TMD8N65H | RMW180N03 | IXFN110N60P3 | FCMT299N60

 

 
Back to Top

 


 
.