SRM12N65TC Todos los transistores

 

SRM12N65TC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SRM12N65TC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.8 V

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 192 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.68 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220C

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SRM12N65TC Datasheet (PDF)

2.1. srm12n65.pdf Size:251K _upd

SRM12N65TC
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Datasheet 12A, 650V, N-Channel Power MOSFET SRM12N65 General Description Symbol The Sanrise SRM12N65 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on- state resistance. Sanrise SRM12N65 break down voltage rating is 650V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi

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