SRM12N65TC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SRM12N65TC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
Тип корпуса: TO-220C
Аналог (замена) для SRM12N65TC
SRM12N65TC Datasheet (PDF)
srm12n65.pdf
Datasheet 12A, 650V, N-Channel Power MOSFET SRM12N65General Description Symbol The Sanrise SRM12N65 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM12N65 break down voltage rating is 650V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at hi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SRC65R082B | SRT10N070HT
History: SRC65R082B | SRT10N070HT
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918