SRM2N60 Todos los transistores

 

SRM2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SRM2N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 59 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4.42 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-251_TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SRM2N60

 

SRM2N60 Datasheet (PDF)

1.1. srm2n60.pdf Size:191K _upd

SRM2N60
SRM2N60

Datasheet 2A, 600V, N-Channel Power MOSFET SRM2N60 General Description Symbol The Sanrise SRM2N60 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on- state resistance. Sanrise SRM2N60 break down voltage rating is 600V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high

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