SRM2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRM2N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 59 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4.42 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-251_TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SRM2N60
SRM2N60 Datasheet (PDF)
1.1. srm2n60.pdf 
Size:191K _upd
Datasheet 2A, 600V, N-Channel Power MOSFET SRM2N60 General Description Symbol The Sanrise SRM2N60 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on- state resistance. Sanrise SRM2N60 break down voltage rating is 600V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
