SRM2N60 Todos los transistores

 

SRM2N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SRM2N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-252
 

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SRM2N60 datasheet

 ..1. Size:191K  sanrise-tech
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SRM2N60

Datasheet 2A, 600V, N-Channel Power MOSFET SRM2N60 General Description Symbol The Sanrise SRM2N60 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on- state resistance. Sanrise SRM2N60 break down voltage rating is 600V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high

Otros transistores... SRM10N60TF , SRM10N60TC , SRM10N65TF , SRM10N65TC , SRM12N65TF , SRM12N65TC , SRM20N65TF , SRM20N65TC , IRFZ46N , SRM4N60D1 , SRM4N60DTR , SRM4N60U , SRM4N60TF , SRM4N65D1 , SRM4N65DTR , SRM4N65U , SRM4N65TF .

History: AO4832 | TMP4N65AZ

 

 
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