SRM2N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SRM2N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.42 Ohm
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SRM2N60 datasheet
srm2n60.pdf
Datasheet 2A, 600V, N-Channel Power MOSFET SRM2N60 General Description Symbol The Sanrise SRM2N60 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on- state resistance. Sanrise SRM2N60 break down voltage rating is 600V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high
Otros transistores... SRM10N60TF , SRM10N60TC , SRM10N65TF , SRM10N65TC , SRM12N65TF , SRM12N65TC , SRM20N65TF , SRM20N65TC , IRFZ46N , SRM4N60D1 , SRM4N60DTR , SRM4N60U , SRM4N60TF , SRM4N65D1 , SRM4N65DTR , SRM4N65U , SRM4N65TF .
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