Справочник MOSFET. SRM2N60

 

SRM2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SRM2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.42 Ohm
   Тип корпуса: TO-251 TO-252
 

 Аналог (замена) для SRM2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRM2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  sanrise-tech
 srm2n60.pdf pdf_icon

SRM2N60

Datasheet 2A, 600V, N-Channel Power MOSFET SRM2N60General Description Symbol The Sanrise SRM2N60 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM2N60 break down voltage rating is 600V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top

 


 
.