SRM2N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SRM2N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.42 Ohm

Тип корпуса: TO-251 TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SRM2N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRM2N60 даташит

 ..1. Size:191K  sanrise-tech
 srm2n60.pdf pdf_icon

SRM2N60

Datasheet 2A, 600V, N-Channel Power MOSFET SRM2N60 General Description Symbol The Sanrise SRM2N60 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on- state resistance. Sanrise SRM2N60 break down voltage rating is 600V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high

Другие IGBT... SRM10N60TF, SRM10N60TC, SRM10N65TF, SRM10N65TC, SRM12N65TF, SRM12N65TC, SRM20N65TF, SRM20N65TC, AO4468, SRM4N60D1, SRM4N60DTR, SRM4N60U, SRM4N60TF, SRM4N65D1, SRM4N65DTR, SRM4N65U, SRM4N65TF