SRM6N60TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SRM6N60TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.03 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.86 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SRM6N60TF

SRM6N60TF Datasheet (PDF)

7.1. Size:244K sanrise-tech
srm6n60.pdf

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9.1. Size:171K sanrise-tech
srm6n70.pdf

Datasheet 6A, 700V, N-Channel Power MOSFET SRM6N70General Description Symbol The Sanrise SRM6N70 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance. Sanrise SRM6N70 break down voltage rating is 700V, which leads the system has enough margin in some sensitive application. It has a high rugged a

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Liste

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