SRM6N60TF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SRM6N60TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.86 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SRM6N60TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SRM6N60TF даташит

 7.1. Size:244K  sanrise-tech
 srm6n60.pdf pdf_icon

SRM6N60TF

Datasheet 6A, 600V, N-Channel Power MOSFET SRM6N60 General Description Symbol The Sanrise SRM6N60 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on- state resistance. Sanrise SRM6N60 break down voltage rating is 600V and it has a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high

 9.1. Size:171K  sanrise-tech
 srm6n70.pdf pdf_icon

SRM6N60TF

Datasheet 6A, 700V, N-Channel Power MOSFET SRM6N70 General Description Symbol The Sanrise SRM6N70 is a high voltage power MOSFET, which has better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on- state resistance. Sanrise SRM6N70 break down voltage rating is 700V, which leads the system has enough margin in some sensitive application. It has a high rugged a

Другие IGBT... SRM4N60TF, SRM4N65D1, SRM4N65DTR, SRM4N65U, SRM4N65TF, SRM4N70, SRM6N60D1, SRM6N60DTR, 60N06, SRM6N70, SRM7N60, SRM7N65, SRM7N65D1-E1, SRM7N65DTR-E1, SRM7N65TF-E1, SRM7N65TC-E1, SS05N70