ST36N06 Todos los transistores

 

ST36N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ST36N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 36 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 20 nC

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.037 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

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ST36N06 Datasheet (PDF)

1.1. st36n06.pdf Size:497K _upd

ST36N06
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 ST36N06 N Channel Enhancement Mode MOSFET 36.0A DESCRIPTION ST36N06 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION FEATURE TO220-3L 60V/20.0A, RDS(ON) = 30mΩ (Typ.) @VGS = 10V 60V/20.0A, RDS(ON) = 45mΩ @VGS = 4.5V Super high density cell design f

5.1. st36n10d.pdf Size:543K _upd

ST36N06
ST36N06

 ST36N10D N Channel Enhancement Mode MOSFET 36.0A DESCRIPTION STN36N10D is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION (D-PAK) FEATURE 100V/20.0A, RDS(ON) = 40mΩ (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS = 10V 100V/20.0A, RDS(ON) = 42mΩ @VGS = 4.5V Super high den

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