ST36N06 Todos los transistores

 

ST36N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ST36N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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ST36N06 Datasheet (PDF)

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ST36N06

ST36N06 N Channel Enhancement Mode MOSFET 36.0A DESCRIPTION ST36N06 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION FEATURE TO220-3L 60V/20.0A, RDS(ON) = 30m (Typ.) @VGS = 10V 60V/20.0A, RDS(ON) = 45m @VGS = 4.5V Super high density cell design f

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ST36N06

ST36N10D N Channel Enhancement Mode MOSFET 36.0A DESCRIPTION STN36N10D is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge. Those devices are suitable for use as load switch or in PWM applications. PIN CONFIGURATION (D-PAK) FEATURE 100V/20.0A, RDS(ON) = 40m (Typ.) TO-252 TO-251 @VGS = 10V 100V/20.0A, RDS(ON) = 42m @VGS = 4.5V Super high densi

Otros transistores... ST3406 , ST3406SRG , ST3407S23RG , ST3407SRG , ST3413A , ST3414A , ST3421SRG , ST3422A , IRFB3607 , ST36N10D , ST47P06D , ST75N75 , ST9435A , ST9435GP , SUB65P04-15 , SUB75P03-07 , SUB85N10-10 .

History: HM3N40R | MS6N90 | UTC7N65L | STM8456 | MMBF4092 | HFP13N10 | IRF9520NLPBF

 

 
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