SUD06N10-225L Todos los transistores

 

SUD06N10-225L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUD06N10-225L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SUD06N10-225L Datasheet (PDF)

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SUD06N10-225L

SUD06N10-225LVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A) Qg (Typ)0.200 @ VGS = 10 V 6.5100 27100 2.70.225 @ VGS = 4.5 V 6.0TO-252DGDrain Connected to TabG D STop ViewSOrder Number: SUD06N10-225LN-Channel MOSFETSUD06N10-225LE3 (lLead (Pb)-Free)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Para

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History: JMSH0803MC | RU7N65L

 

 
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