SUD09P10-195 Todos los transistores

 

SUD09P10-195 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUD09P10-195

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.195 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SUD09P10-195 datasheet

 ..1. Size:169K  vishay
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SUD09P10-195

SUD09P10-195 Vishay Siliconix P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.195 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET - 100 11.7 0.210 at VGS = - 4.5 V - 8.5 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Switch

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
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SUD09P10-195

INCHANGE Semiconductor Isc P-Channel MOSFET Transistor SUD09P10-195 FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications Motor contorl DC-DC conventers ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Otros transistores... ST75N75 , ST9435A , ST9435GP , SUB65P04-15 , SUB75P03-07 , SUB85N10-10 , SUD06N10-225L , SUD08P06-155L , AON7506 , SUD15N15-95 , SUD17N25-165 , SUD19N20-90 , SUD19P06-60 , SUD19P06-60L , SUD20N10-66L , SUD20P15-306 , SUD23N06-31 .

History: BML6401 | JCS10N60BT | IRF7342QPBF | AOU2N60 | AP0203GMT-HF | BF999 | SUD40N02-3M3P

 

 

 

 

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