SUD09P10-195 Todos los transistores

 

SUD09P10-195 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUD09P10-195
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.195 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SUD09P10-195 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  vishay
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SUD09P10-195

SUD09P10-195Vishay SiliconixP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.195 at VGS = - 10 V - 8.8 TrenchFET Power MOSFET- 100 11.70.210 at VGS = - 4.5 V - 8.5 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Switch

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
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SUD09P10-195

INCHANGE SemiconductorIsc P-Channel MOSFET Transistor SUD09P10-195FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsMotor contorlDC-DC conventersABSOLUTE MAXIMUM RATING

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History: NP82N055NHE | TT8K11 | BSO200P03S

 

 
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