SUD20P15-306 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUD20P15-306
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.306 Ohm
Encapsulados: TO-252
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SUD20P15-306 datasheet
sud20p15-306.pdf
SUD20P15-306 Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.306 at VGS = - 10 V - 8.1 Material categorization For definitions of compliance please see 0.312 at VGS = - 8 V - 8 - 150 6.2 www.vishay.com/doc?99912 0.335 at VGS = - 6 V - 7.7 APPLICATIO
sud20n10-66l.pdf
SUD20N10-66L Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.066 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization 100 19.8 For definitions of compliance please see 0.080 at VGS = 4.5 V 13.2 www.vishay.com/doc?99912 TO-252 APPLICATIONS D DC/DC Conv
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History: IRF7324D1PBF
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