SUD20P15-306 Todos los transistores

 

SUD20P15-306 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUD20P15-306
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.306 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de SUD20P15-306 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SUD20P15-306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  vishay
 sud20p15-306.pdf pdf_icon

SUD20P15-306

SUD20P15-306Vishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.306 at VGS = - 10 V - 8.1 Material categorization:For definitions of compliance please see0.312 at VGS = - 8 V - 8- 150 6.2www.vishay.com/doc?999120.335 at VGS = - 6 V - 7.7APPLICATIO

 9.1. Size:163K  vishay
 sud20n10-66l.pdf pdf_icon

SUD20P15-306

SUD20N10-66LVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.066 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:100 19.8For definitions of compliance please see0.080 at VGS = 4.5 V 13.2www.vishay.com/doc?99912TO-252APPLICATIONSD DC/DC Conv

Otros transistores... SUD08P06-155L , SUD09P10-195 , SUD15N15-95 , SUD17N25-165 , SUD19N20-90 , SUD19P06-60 , SUD19P06-60L , SUD20N10-66L , STF13NM60N , SUD23N06-31 , SUD23N06-31L , SUD25N04-25 , SUD25N15-52 , SUD35N05-26L , SUD35N10-26P , SUD40N02-08 , SUD40N02-3M3P .

History: DMN90H8D5HCTI | KMB7D0DN40Q | 2SK3571-Z | AP65SL380AIN | 2SK2291

 

 
Back to Top

 


 
.