SUD20P15-306 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUD20P15-306
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 41.7 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8.1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 27 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 56 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.306 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUD20P15-306
SUD20P15-306 Datasheet (PDF)
sud20p15-306.pdf
SUD20P15-306Vishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.306 at VGS = - 10 V - 8.1 Material categorization:For definitions of compliance please see0.312 at VGS = - 8 V - 8- 150 6.2www.vishay.com/doc?999120.335 at VGS = - 6 V - 7.7APPLICATIO
sud20n10-66l.pdf
SUD20N10-66LVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.066 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:100 19.8For definitions of compliance please see0.080 at VGS = 4.5 V 13.2www.vishay.com/doc?99912TO-252APPLICATIONSD DC/DC Conv
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