SUD50N02-04P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUD50N02-04P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUD50N02-04P

SUD50N02-04P Datasheet (PDF)

..1. Size:143K vishay
sud50n02-04p.pdf

SUD50N02-04PVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a 175 C Junction Temperature0.0043 at VGS = 10 V 34 PWM Optimized for High Efficiency200.006 at VGS = 4.5 V 28 Material categorization:For definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?99912TO-25

4.1. Size:65K vishay
sud50n02-06.pdf

SUD50N02-06Vishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S), 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a, bD 175_C Maximum Junction TemperatureD 100% Rg Tested0.006 @ VGS = 4.5 V 3020200.009 @ VGS = 2.5 V 25DTO-252GDrain Connected to TabG D STop ViewOrder Number: SSUD50N02-06N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

4.2. Size:58K vishay
sud50n02-09p.pdf

SUD50N02-09PVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) 175_C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD 175_C Junction TemperatureVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)aD PWM Optimized for High EfficiencyD 100% Rg Tested0.0095 @ VGS = 10 V 2020200.017 @ VGS = 4.5 V 15 APPLICATIONSD High-Side Synchronous Buck DC/DCConversion- DesktopDTO-252- ServerGDrain Conn

4.3. Size:158K vishay
sud50n02-06p.pdf

SUD50N02-06PVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a 175 C Junction Temperature0.0060 at VGS = 10 V PWM Optimized for High Efficiency26200.0095 at VGS = 4.5 V 100 % Rg Tested21 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Buck DC/DC C

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: