SUD50P10-43 Todos los transistores

 

SUD50P10-43 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUD50P10-43
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 136 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 38 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 105 nC
   Tiempo de subida (tr): 115 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUD50P10-43

 

SUD50P10-43 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  vishay
sud50p10-43.pdf

SUD50P10-43 SUD50P10-43

SUD50P10-43New ProductVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) 175 _C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a Qg (Typ)RoHS100 0.043 at VGS = 10 V 38 105 nCCOMPLIANTTO-252SGDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information: SUD50P10-43E3 (Lead (Pb)-free) P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =

 0.1. Size:142K  vishay
sud50p10-43l.pdf

SUD50P10-43 SUD50P10-43

SUD50P10-43LVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECRoHS0.043 at VGS = - 10 V - 37COMPLIANT - 100 54 nC0.048 at VGS = - 4.5 V - 35TO-252SGDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information: SUD50P10-43L-E

 0.2. Size:1498K  cn vbsemi
sud50p10-43l.pdf

SUD50P10-43 SUD50P10-43

SUD50P10-43Lwww.VBsemi.tw P-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Direc

 0.3. Size:208K  inchange semiconductor
sud50p10-43l.pdf

SUD50P10-43 SUD50P10-43

INCHANGE SemiconductorIsc P-Channel MOSFET Transistor SUD50P10-43LFEATURESTrenchFET Power MOSFET175 C Junction Temperature100 % Rg and UIS TestedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONPower Supply- Secondary Synchronous RectificationPower toolsMotor drive switchBattery managementABSOLUTE M

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


SUD50P10-43
  SUD50P10-43
  SUD50P10-43
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MRF5035 | MRF5015 | MRF5007R1 | MRF5007 | MRF5003 | MRF275G | MRF184S | MRF184 | MRF177M | MRF177 | MRF176GV | MRF176GU | MRF175LV | MRF175LU | MRF175GV | MRF175GU

 

 

 
Back to Top