SUD50P10-43 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUD50P10-43
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUD50P10-43

SUD50P10-43 Datasheet (PDF)

..1. Size:84K vishay
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SUD50P10-43New ProductVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) 175 _C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a Qg (Typ)RoHS100 0.043 at VGS = 10 V 38 105 nCCOMPLIANTTO-252SGDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information: SUD50P10-43E3 (Lead (Pb)-free) P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =

0.1. Size:142K vishay
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SUD50P10-43LVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECRoHS0.043 at VGS = - 10 V - 37COMPLIANT - 100 54 nC0.048 at VGS = - 4.5 V - 35TO-252SGDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information: SUD50P10-43L-E

0.2. Size:1498K cn vbsemi
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SUD50P10-43Lwww.VBsemi.tw P-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Direc

0.3. Size:208K inchange semiconductor
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INCHANGE SemiconductorIsc P-Channel MOSFET Transistor SUD50P10-43LFEATURESTrenchFET Power MOSFET175 C Junction Temperature100 % Rg and UIS TestedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONPower Supply- Secondary Synchronous RectificationPower toolsMotor drive switchBattery managementABSOLUTE M

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: