Справочник MOSFET. SUD50P10-43

 

SUD50P10-43 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUD50P10-43
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для SUD50P10-43

 

 

SUD50P10-43 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  vishay
 sud50p10-43.pdf

SUD50P10-43 SUD50P10-43

SUD50P10-43New ProductVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) 175 _C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a Qg (Typ)RoHS100 0.043 at VGS = 10 V 38 105 nCCOMPLIANTTO-252SGDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information: SUD50P10-43E3 (Lead (Pb)-free) P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =

 0.1. Size:142K  vishay
 sud50p10-43l.pdf

SUD50P10-43 SUD50P10-43

SUD50P10-43LVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECRoHS0.043 at VGS = - 10 V - 37COMPLIANT - 100 54 nC0.048 at VGS = - 4.5 V - 35TO-252SGDrain Connected to TabG D STop ViewDOrdering Information: SUD50P10-43L-E

 0.2. Size:1498K  cn vbsemi
 sud50p10-43l.pdf

SUD50P10-43 SUD50P10-43

SUD50P10-43Lwww.VBsemi.tw P-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Direc

 0.3. Size:208K  inchange semiconductor
 sud50p10-43l.pdf

SUD50P10-43 SUD50P10-43

INCHANGE SemiconductorIsc P-Channel MOSFET Transistor SUD50P10-43LFEATURESTrenchFET Power MOSFET175 C Junction Temperature100 % Rg and UIS TestedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONPower Supply- Secondary Synchronous RectificationPower toolsMotor drive switchBattery managementABSOLUTE M

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SVF1N60AB

 

 
Back to Top