SUM120N04-1M7L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUM120N04-1M7L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 375 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 190 nC
   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1652 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUM120N04-1M7L

SUM120N04-1M7L Datasheet (PDF)

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SUM120N04-1m7Lwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0017 at VGS = 10 V 12040 190 Material categorization: 0.0020 at VGS = 4.5 V 120For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-263DAPPLICATIONS

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