SUM120N04-1M7L Todos los transistores

 

SUM120N04-1M7L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUM120N04-1M7L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1652 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SUM120N04-1M7L datasheet

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SUM120N04-1M7L

SUM120N04-1m7L www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0017 at VGS = 10 V 120 40 190 Material categorization 0.0020 at VGS = 4.5 V 120 For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-263 D APPLICATIONS

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History: APT10045JFLL

 

 

 

 

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