SUM120N04-1M7L Todos los transistores

 

SUM120N04-1M7L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUM120N04-1M7L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1652 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SUM120N04-1M7L Datasheet (PDF)

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SUM120N04-1M7L

SUM120N04-1m7Lwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0017 at VGS = 10 V 12040 190 Material categorization: 0.0020 at VGS = 4.5 V 120For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-263DAPPLICATIONS

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History: FDME1023PZT | RUH1H139R-A | 2SK2273 | FRS240H | FQD10N20CTF | MMN4418 | KI2312DS

 

 
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