MM109N06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MM109N06K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 109 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 435 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MM109N06K MOSFET
MM109N06K Datasheet (PDF)
mm109n06k.pdf

MM1 09 N06K DatasheetN-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDSS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 60V 8m 109AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized BVDSS CapabilityOrdering InformationPark Number Package BrandMM109N06K TO-220 MacMicTC=25 unless otherwise specifi
Otros transistores... MIC94050BM4TR , MIC94050YM4TR , MIC94051BM4TR , MIC94051YM4TR , MIC94052BC6TR , MIC94052YC6TR , MIC94053BC6TR , MIC94053YC6TR , RFP50N06 , MM137N04K , SUM1960NE , SUM2153 , SUM23N15-73 , SUM25P10-138 , SUM27N20-78 , SUM33N20-60P , SUM36N20-54P .
History: 2SK2445 | GP1T080A120B
History: 2SK2445 | GP1T080A120B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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