SUM36N20-54P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUM36N20-54P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 85 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUM36N20-54P

SUM36N20-54P Datasheet (PDF)

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sum36n20-54p.pdf

SUM36N20-54PVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction TemperatureRoHS 0.053 at VGS = 15 V 36200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested0.054 at VGS = 10 V 36 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply Lighting Syst

6.1. Size:151K vishay
sum36n20.pdf

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Liste

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