SUM36N20-54P Todos los transistores

 

SUM36N20-54P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUM36N20-54P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm

Encapsulados: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de SUM36N20-54P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SUM36N20-54P datasheet

 ..1. Size:137K  vishay
 sum36n20-54p.pdf pdf_icon

SUM36N20-54P

SUM36N20-54P Vishay Siliconix N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction Temperature RoHS 0.053 at VGS = 15 V 36 200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested 0.054 at VGS = 10 V 36 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Supply Lighting Syst

 6.1. Size:151K  vishay
 sum36n20.pdf pdf_icon

SUM36N20-54P

SUM36N20-54P Vishay Siliconix N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction Temperature RoHS 0.053 at VGS = 15 V 36 200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested 0.054 at VGS = 10 V 36 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Supply Lighting Syst

Otros transistores... MM109N06K , MM137N04K , SUM1960NE , SUM2153 , SUM23N15-73 , SUM25P10-138 , SUM27N20-78 , SUM33N20-60P , NCEP15T14 , SUM40N02-12P , SUM40N10-30 , SUM40N15-38 , SUM45N25-58 , SUM47N10-24L , SUM50N06-16L , SUM50P10-42 , SUM52N20-39P .

History: IPD079N06L3 | AGM308S | HM20P02D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.