SUM36N20-54P Todos los transistores

 

SUM36N20-54P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUM36N20-54P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SUM36N20-54P Datasheet (PDF)

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SUM36N20-54P

SUM36N20-54PVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction TemperatureRoHS 0.053 at VGS = 15 V 36200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested0.054 at VGS = 10 V 36 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply Lighting Syst

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SUM36N20-54P

SUM36N20-54PVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction TemperatureRoHS 0.053 at VGS = 15 V 36200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested0.054 at VGS = 10 V 36 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply Lighting Syst

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History: SFF450M | AP4P018M | RFP12N10 | RJK6013DPE | SM4512NHKP | IXFN360N10T | SQ2351ES

 

 
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