Справочник MOSFET. SUM36N20-54P

 

SUM36N20-54P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUM36N20-54P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 166 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 85 nC
   Время нарастания (tr): 170 ns
   Выходная емкость (Cd): 300 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.054 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для SUM36N20-54P

 

 

SUM36N20-54P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  vishay
sum36n20-54p.pdf

SUM36N20-54P SUM36N20-54P

SUM36N20-54PVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction TemperatureRoHS 0.053 at VGS = 15 V 36200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested0.054 at VGS = 10 V 36 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply Lighting Syst

 6.1. Size:151K  vishay
sum36n20.pdf

SUM36N20-54P SUM36N20-54P

SUM36N20-54PVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction TemperatureRoHS 0.053 at VGS = 15 V 36200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested0.054 at VGS = 10 V 36 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply Lighting Syst

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top