SUM36N20-54P - аналоги и даташиты транзистора

 

SUM36N20-54P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SUM36N20-54P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SUM36N20-54P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUM36N20-54P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  vishay
 sum36n20-54p.pdf pdf_icon

SUM36N20-54P

SUM36N20-54PVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction TemperatureRoHS 0.053 at VGS = 15 V 36200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested0.054 at VGS = 10 V 36 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply Lighting Syst

 6.1. Size:151K  vishay
 sum36n20.pdf pdf_icon

SUM36N20-54P

SUM36N20-54PVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) 175 C Junction TemperatureRoHS 0.053 at VGS = 15 V 36200 57 COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested0.054 at VGS = 10 V 36 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Supply Lighting Syst

Другие MOSFET... MM109N06K , MM137N04K , SUM1960NE , SUM2153 , SUM23N15-73 , SUM25P10-138 , SUM27N20-78 , SUM33N20-60P , AON6380 , SUM40N02-12P , SUM40N10-30 , SUM40N15-38 , SUM45N25-58 , SUM47N10-24L , SUM50N06-16L , SUM50P10-42 , SUM52N20-39P .

History: S80N18RP | 2N90G-TF3-T | NTMFD4C85N | STL3NK40 | STL34N65M5 | NTJS3157NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.