SUM50N06-16L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUM50N06-16L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUM50N06-16L

SUM50N06-16L Datasheet (PDF)

..1. Size:152K vishay
sum50n06-16l.pdf

SUM50N06-16LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET, Logic LevelFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.016 at VGS = 10 V50RoHS*600.022 at VGS = 4.5 V43 COMPLIANTDTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewSOrdering Information: SUM50N06-16LSUM50N06-1

7.1. Size:106K vishay
sum50n03-13lc.pdf

SUM50N03-13LCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Sense TerminalFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET PlusV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)AvailableCurrent Sensing Diode0.013 at VGS = 10 V50a Low Thermal Resistance Package RoHS*300.017 at VGS = 4.5 VCOMPLIANT48aAPPLICATIONS IndustrialD2PAK-5D (Tab, 3)1 2 3 4 5(1)(4)

9.1. Size:180K vishay
sum50p10-42.pdf

SUM50P10-42Vishay SiliconixP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.042 at VGS = - 10 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC COMPLIANT - 36- 100 540.047 at VGS = - 4.5 V- 29APPLICATIONS Load Switch ORingTO-263SGG D STop View

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Liste

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