SUM50N06-16L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUM50N06-16L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 93 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 25 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 265 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUM50N06-16L
SUM50N06-16L Datasheet (PDF)
sum50n06-16l.pdf
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SUM50N06-16LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET, Logic LevelFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.016 at VGS = 10 V50RoHS*600.022 at VGS = 4.5 V43 COMPLIANTDTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewSOrdering Information: SUM50N06-16LSUM50N06-1
sum50n03-13lc.pdf
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SUM50N03-13LCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Sense TerminalFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET PlusV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)AvailableCurrent Sensing Diode0.013 at VGS = 10 V50a Low Thermal Resistance Package RoHS*300.017 at VGS = 4.5 VCOMPLIANT48aAPPLICATIONS IndustrialD2PAK-5D (Tab, 3)1 2 3 4 5(1)(4)
sum50p10-42.pdf
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SUM50P10-42Vishay SiliconixP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.042 at VGS = - 10 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC COMPLIANT - 36- 100 540.047 at VGS = - 4.5 V- 29APPLICATIONS Load Switch ORingTO-263SGG D STop View
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Liste
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