SUM50N06-16L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUM50N06-16L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 265 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SUM50N06-16L
SUM50N06-16L Datasheet (PDF)
sum50n06-16l.pdf
SUM50N06-16LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET, Logic LevelFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.016 at VGS = 10 V50RoHS*600.022 at VGS = 4.5 V43 COMPLIANTDTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewSOrdering Information: SUM50N06-16LSUM50N06-1
sum50n03-13lc.pdf
SUM50N03-13LCVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Sense TerminalFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET PlusV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)AvailableCurrent Sensing Diode0.013 at VGS = 10 V50a Low Thermal Resistance Package RoHS*300.017 at VGS = 4.5 VCOMPLIANT48aAPPLICATIONS IndustrialD2PAK-5D (Tab, 3)1 2 3 4 5(1)(4)
sum50p10-42.pdf
SUM50P10-42Vishay SiliconixP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.042 at VGS = - 10 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC COMPLIANT - 36- 100 540.047 at VGS = - 4.5 V- 29APPLICATIONS Load Switch ORingTO-263SGG D STop View
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
