SUM90P10-19 Todos los transistores

 

SUM90P10-19 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUM90P10-19
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 720 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SUM90P10-19 Datasheet (PDF)

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SUM90P10-19

New ProductSUM90P10-19Vishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ)RoHS0.019 at VGS = - 10 V - 90 128 nC- 100COMPLIANTTO-263SGDrain Connected to TabG D STop View DP-Channel MOSFETOrdering Information: SUM90P10-19-E3 (Lead (Pb)-free)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

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SUM90P10-19

SUM90P10-19LVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.019 at VGS = - 10 V - 90- 100 97 nC0.021 at VGS = - 4.5 V - 85STO-263 GDrain Connected to Tab G D S DTop View P-Channel MOSFETOrdering Information: SUM90P10-19L-E3 (Lead

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SUM90P10-19

SUM90P10-19LVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.019 at VGS = - 10 V - 90- 100 97 nC0.021 at VGS = - 4.5 V - 85STO-263 GDrain Connected to Tab G D S DTop View P-Channel MOSFETOrdering Information: SUM90P10-19L-E3 (Lead

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SUM90P10-19

SUP90N06-5m0PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature60 0.005 at VGS = 10 V RoHS90d 105 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANTAPPLICATIONS Power Supply- Secondary Synchronous Rectification IndustrialTO-220AB OR-ingDGG

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MTD30N10Q8 | FQB19N20TM | KND3302A | LSD65R099GT | STU7NM60N | NCE0224AF | H7N1004LM

 

 
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